半导体装置的制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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半导体装置的制造方法.pdf

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本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括在装置晶圆上方形成互连结构。此装置晶圆包括第一集成电路、半导体基板、以及重布线结构。此方法还包括在互连结构的最顶部介电层中形成金属化层及具有阶梯图案密度(steppedpatterndensity)的一组虚置插入(dummyinsertion)结构。这组虚置插入结构及金属化层与介电层一起平坦化。此方法还包括在这组虚置插入结构、金属化层、及介电层的上方形成第一接合层。此方法还包括将载体晶圆接合到第一接合层，形成穿过半导体基板的开

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883248 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210118529.8 H01L 23/528 (2006.01) (22)申请日 2022.02