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一种记忆体装置及其制造方法，制造记忆体装置的方法包括形成记忆体装置的第一部分，第一部分包括第一装置部分及一或多个第一接口部分。第一装置部分包括多个第一记忆体串，各个第一记忆体串包括彼此垂直分离的多个第一记忆体单元。一或多个第一接口部分中的各者侧向邻接于第一装置部分的一侧，各个第一接口部分包括多个第一字元线。方法进一步包括在第一装置部分中形成多个第一源极线及多个第一位元线。方法进一步包括在形成多个源极线及位元线的同时，形成侧向封装第一装置部分及第一接口部分两者的第一密封环结构。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883363 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210224722.X G11C 5/02 (2006.01)
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