一种基于铟材质的芯片封装测试压头及其测试方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种基于铟材质的芯片封装测试压头及其测试方法.pdf

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本发明公开了一种基于铟材质的芯片封装测试压头及其测试方法，包括压头件、承载件，所述压头件位于承载件所在的上方位置，同时所述压头件所在的下表面设置有向中部凹陷的腔体，位于所述腔体内嵌装有合金铟片；所述合金铟片所在的下端面伸出压头件所在下端面向下，且位于所述合金铟片所在下方的承载件上用于承载芯片本体，通过压头件位于承载件正上方的下压，使合金铟片正对于芯片本体上；所述合金铟片的熔点在141‑237℃、电阻率为0.13‑0.14μΩ·m。测试压头利用合金铟片延展性，能够完全贴合在不平整的芯片表面，当压头

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114895171 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210490589.2 (22)申请日 2022.05.07 (71)申请人森敏特电子科技（苏州）有限公司地址