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本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括在基底上方的第一半导体堆叠件，其中第一半导体堆叠件包括彼此分离并沿着基本垂直于基底顶面的方向堆叠的第一半导体层；第二半导体堆叠件位于基底上方，其中第二半导体堆叠件包括彼此分离且沿着基本垂直于基底顶面的方向堆叠的第二半导体层；在第一半导体层的边缘部分之间和在第二半导体层的边缘部分之间的内部间隔物；以及位于第一和第二半导体堆叠件之间的一块体源极/漏极部件，其中块体源极/漏极部件通过第一气隙与基底分隔开，且块体源极/漏极部件通过第二气隙与内部间隔物分隔开。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883382 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210306031.4
(22)申请日 2022.03.25
(30)优先权数据
17/213,420 2021
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