一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法.pdf

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一种增强型氮化镓基晶体管，自下而上包括衬底、复合缓冲层、沟道层和势垒层，在势垒层上设置有P型氮化物帽层、钝化层、源电极、漏电极和栅电极，P型氮化物帽层在侧面和顶面均被栅电极包围，钝化层布设于栅电极与源电极之间以及栅电极与漏电极之间；栅电极与势垒层形成肖特基接触，源电极和漏电极均与势垒层形成欧姆接触；沟道层与势垒层之间形成异质结，且极化效应在异质结界面的沟道层一侧形成二维电子气沟道。该P型氮化物帽层耗尽了沟道中的部分二维电子气，提高了器件的阈值电压，实现增强型器件的目的，P型氮化物帽层周围的栅电极

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899227 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210492930.8 H01L 21/335 (2006.01)