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本发明涉及自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件。一实施例提供一种自旋霍尔器件,包括自旋霍尔层和形成在所述自旋霍尔层上并且与所述自旋霍尔层接触的第一磁性多层膜结构,包括多个第一磁性层和位于相邻的第一磁性层之间的第一非磁中间层。所述自旋霍尔层可用于接收面内电流,以翻转所述第一磁性多层膜结构的磁矩。另一些实施例还提供自旋轨道力矩磁随机存储器和逻辑器件,其中自旋霍尔层用于翻转包括在自由磁层中的磁性多层膜结构的磁矩。本发明能够在不需要等效磁层的情况下翻转磁性多层膜结构的磁矩,从而提高了磁器件的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114914356 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202110178201.0
(22)申请日 2021.02.09
(71)申请人 中国科学院物理研究所
地址 100
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