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本发明公开一种碳化硅外延层生长方法，包括：步骤(1)、提供碳化硅衬底，并将所述碳化硅衬底装入反应腔中；步骤(2)、对所述反应腔内气体进行置换，然后向反应腔内充入H2，并将所述反应腔内的温度升温至1500‑1700℃；步骤(3)、对所述反应腔内充入H2、含Si源气、含C源气、含P源气、N2的混合气体，并对所述混合气体的充入比例进行控制，以进行改良层的生长；步骤(4)、当所述改良层生长达到目标厚度后进行退火处理；步骤(5)、进行外延层的生长。本发明提供的碳化硅外延生长方法，能够确保整外延层中没有BP
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114892273 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210466465.0
(22)申请日 2022.04.29
(71)申请人 希科半导体科技（苏州）有限公司
地址
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