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一种半导体晶片及其制造方法，半导体晶片包含装置部分和接口部分。此装置部分包含在第一方向上延伸的主动记忆体装置的阵列。接口部分在第一方向上与装置部分的轴向端部相邻。接口部分在垂直方向上具有阶梯形轮廓，并且包含虚设记忆体装置的阵列和栅极孔的阵列。虚设记忆体装置在第一方向上与主动记忆体装置轴向地对齐，每个虚设记忆体装置包含至少一个接口孔。此外，栅极孔的阵列的每一行都在第一方向上延伸，并且在垂直于第一方向的第二方向上与虚设记忆体装置的阵列的行平行。每个栅极孔电耦合到位于其附近的虚设记忆体装置的至少一个接
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114914249 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202110687176.9
(22)申请日 2021.06.21
(30)优先权数据
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