含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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含有稀土的SiC基板和SiC外延层的制造方法.pdf

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SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114901875 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080089055.8 (51)Int.Cl.