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本发明公开了一种芯片的测试结构及测试方法,属于半导体技术领域。所述测试结构包括:第一分部,设置在衬底的表面上,且沿所述衬底内的有源区的方向延伸;第二分部,一端与所述第一分部连接,另一端向所述有源区上延伸,且与所述有源区上的介质层接触,所述第二分部覆盖所述有源区之间的浅沟槽隔离结构,以测试所述浅沟槽隔离结构与所述有源区之间是否存在凹陷;第三分部,所述第三分部与所述第一分部平行设置;第四分部,所述第四分部和所述第二分部交错设置;第一电压源,连接于所述第一分部的一端;以及第二电压源,连接于所述第三分部
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114927505 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210668088.9
(22)申请日 2022.06.14
(71)申请人 合肥晶合集成电路股份有限公司
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