一种免刻蚀的半导体激光器热沉结构及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种免刻蚀的半导体激光器热沉结构及其制备方法和应用.pdf

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本发明属于半导体激光器领域，公开了一种免刻蚀的半导体激光器热沉结构及其制备方法和应用，该方法采用磁控溅射法在阶梯型氮化铝衬底的阶梯表面制备金属层；然后采用磁控溅射在第一阶梯表面的金属层上制备焊接层，第一阶梯表面的金属层的面积大于或者等于焊接层的面积，阶梯垂面的高度大于第一阶梯表面上金属层和焊接层的总厚度，实现免刻蚀制备热沉结构。本发明采用阶梯型的氮化铝衬底，且该衬底的阶梯垂面的高度大于第一阶梯表面上金属层和焊接层的总厚度，形成绝缘构造，不存在刻蚀金属不完全导致激光器芯片短接的风险，显著提高了半导

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114908320 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210389529.1 (22)申请日 2022.04.14 (71)申请人广东工业大学地址 510062