界面相互作用构建内建电场用于高性能锂离子存储.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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界面相互作用构建内建电场用于高性能锂离子存储.pdf

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本发明涉及锂离子电池存储技术领域，且公开了界面相互作用构建内建电场用于高性能锂离子存储，包括：S1样品合成，氧化石墨烯(GO)悬浮液是通过改进的Hummer制备方法，合成GaZnON@NG异质结构通常遵循以下步骤，用连续磁力搅拌器在Ga2(SO4)3和ZnSO4溶液中加入一定量的GO溶液，开发了界面相互作用和内建电场调节策略来构建氮掺杂石墨烯(NG)复合的GaZnON纳米颗粒(GaZnON@NG)简单易行的方法。先进的结构表征和密度泛函理论(DFT)分析揭示了强化学键(Ga–N/N–C)和GaZ

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914410 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210379842.7 B82Y 40/00 (2011.01)