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- 2023-05-22 发布于广东
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* * * * * * 英文参考书的p152和p153页。 * VAVGVB * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * (1)正比计数器是上世纪40年代末发明的。 (2)A主要由正比计数器结构、充气、工作电压决定,可达106量级。 (3)正比计数器测量的能量下限可以很小,为低能辐射的测量开辟了一个新领域。 * * * 坪特性曲线可用三个指标衡量: 坪起始电压——VA 坪长 —— VB-VA 坪斜 —— 第一百五十九页,共一百六十三页,2022年,8月28日 坪斜的成因: ② 随工作电压的增高,负电性气体的电子释放概率增加。 ③ 随工作电压的增高,灵敏体积增大。 ④ 随工作电压的增高,结构的尖端放电增加。 ① 随工作电压的增高,正离子鞘电荷量增加,淬熄不完善的可能性增加。 典型指标: 有机管:VA = 1000V,(VB-VA)=200V,坪斜=5%/100V 卤素管:VA = 400V,(VB-VA)=100V,坪斜=10%/100V 第一百六十页,共一百六十三页,2022年,8月28日 2) 探测效率 对用于带电粒子探测的钟罩型GM管,只要入射粒子进入灵敏体积,其探测效率可接近100%。 对用于探测?射线的圆柱型GM管,仅当次电子进入灵敏体积才能引起计数,其探测效率仅~1%。 第一百六十一页,共一百六十三页,20
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