GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述_彭龙新.pdfVIP

第43 卷 第2 期 固体电子学研究与进展 Vol .43 ，No .2 2023 年4 月 RESEARCH PROGRESS OF SSE Apr . ，2023 ■■■■■ ■ ■ 特邀稿件 ■ ■ ■■■■■ GaAs 及GaN 微波毫米波多功能集成电路芯片 综述 1 ，2∗ 1 1 2 彭龙新 邹文静 孔令峥 张占龙 1 2 （ 南京电子器件研究所，南京，210016 ） （ 杭州致善微电子科技有限公司，杭州，310000 ） 2023-02-25 收稿，2023-03-17 收改稿 摘要：综合论述了GaAs 和GaN 微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs 限幅放大器集成芯片 的发展状况、电路结构和性能特性，简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中 数字移相器和衰减器的设计方法，给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。 关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管；氮化镓高电子迁移率晶体管；微波单片集成电路；多功能芯片；低噪 声放大器；功率放大器；数控衰减器；数控移相器；开关；GaAs 数字电路 中图分类号：TN43 ；TN722 .3 ；TN722 .7+ 2 文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2023)02-0121-15 DOI:10.19623/ki.rpsse.2023.02.012 Review of GaAs and GaN Microwave and Millimeter-wave Multifunctional MMICs 1 ,2 1 1 2 PENG Longxin ZOU Wenjing KONG Lingzheng ZHANG Zhanlong 1 （ Nanjing Electronic Devices Institute ， Nanjing ， 210016 ，CHN ） 2 （ Hangzhou Zhishan Microelectronics Technology Co . ， Ltd ， Hangzhou ， 310000 ，CHN ） Abstract : The developments ， circuit topologies and performances of GaAs and GaN microwave/ millimeter wave T/R multifunctional chips ， amplitude-phase multifunctional chips and GaAs limiter- LNA chips were described briefly . The design methodologies of power amplifier ，