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2023年清华半导体物理器件集成电路考研真题.docx

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    2023 年清华大学争论生入学考试 半导体物理、器件及集成电路试题 150 分，180 分钟 〔请将答案写在答题纸上〕 一、 图示比较 BJT 和MOSFET 饱和区，解释其产生物理机制 二、 〔15 分〕列举 MOSFET 由于尺寸缩小引起的四种非抱负效应， 简要说明其产生的物理机制及对晶体管电学特性的影响 三、 〔10 分〕考虑一个 npn 硅双极性晶体管，T=300K，参数如下： N ? 1018 cm-3 ， N ? 1016 cm-3 ， D ? 10cm 2 / s ， D ? 25cm 2 / s ， E B E B ? ? ? ? 10-7 s ， x ? 1? m , x

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