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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明公开了一种倒梯型槽刻蚀工艺方法,属于微电子制作工艺领域。一种倒梯型槽刻蚀工艺方法,包括:1)对硅衬底材料进行氧化,形成氧化层,在氧化层上涂布光阻按照设计版图进行光刻;2)在光刻区域采用RIE刻蚀的方法去除氧化层,直至暴露出硅衬底;3)采用感应耦合等离子刻蚀机,对硅衬底进行分步骤刻蚀,采用C4F8和SF6交替刻蚀,刻蚀完成得到具有预设深度的硅槽;之后采用SF6和O2刻蚀的方法对硅槽进行刻蚀,刻蚀完成得到倒梯型硅槽;4)刻蚀完成之后,采用湿法去除光阻和氧化层,得到硅器件。本发明的工艺方法,可以
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164650 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011034226.5
(22)申请日 2020.09.27
(71)申请人 西安微电子技术研究所
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