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高压集成电路结构.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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高压集成电路结构.pdf

    本发明提供了一种高压集成电路结构，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层设置于衬底上，其中外延层具有与第一导电类型不同的第二导电类型；源极区和漏极区，设置于外延层中，且具有第二导电类型；第一隔离结构和第二隔离结构，设置于外延层上，并分别位于漏极区的相对两侧，其中第一隔离结构位于源极区与漏极区之间；第一导电类型隔离区，位于第二隔离结构下的外延层中，包括：空槽区，设置于第一导电类型隔离区的中心区，且由外延层所构成；以及第一导电类型高压阱区，设置于空槽区的相对两侧。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113497117 A (43)申请公布日 2021.10.12 (21)申请号 202110134046.2 (22)申请日 2021.02.01 (30)优先权数据 109109085

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