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通过低温退火来降低氧化物半导体表面粗糙度的方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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通过低温退火来降低氧化物半导体表面粗糙度的方法.pdf

    本发明公开一种通过低温退火来降低氧化物半导体表面粗糙度的方法，本方法适用于以氧化铟镓锌作为通道的薄膜晶体管，将氧化铟镓锌沉积结束后的晶圆片在真空的条件下加热到300°C~800°C，在该温度下保持一定时间后缓慢退火；本方法使原来的无定形体氧化铟镓锌重新结晶，增加晶核的数目，使得晶粒成周期性排列，获得均匀的表面性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164657 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011014618.5 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人 山东华芯半导体有限公司

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