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用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法.pdf

    本发明涉及用于执行等离子体处理以在晶片上沉积膜的系统和方法。公开了提供不同频率的多个射频信号，其中所述不同频率中的最低频率是基本频率，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于偶次谐波关系，并且其中具有大于所述基本频率的频率的每个射频信号与所述基本频率的所述射频信号处于固定的相位关系，多个射频信号具有相应的频率，所述相应的频率被设定为在所述等离子体产生区域内将所述工艺气体组合物转变成所述等离子体以使所述膜沉积在所述晶片上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164651 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010824548.3 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263

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