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- 2023-05-23 发布于四川
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本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法，自下而上顺次包括：漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区；还包括：漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体，沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极；复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成；沟道层和钝化层依次通过淀积形成；由此以上器件被划分为元胞区和终端区，介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区，终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164725 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202011036591.X
(22)申请日 2020.09.27
(71)申请人 东南大学
地址 21
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