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一种TZO靶材及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种TZO靶材及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种TZO靶材及其制备方法，所述TZO靶材密度为5.6‑6.3g/cm3，所述TZO靶材电阻率为0.1‑0.5Ω.cm，所述TZO靶材主成分为Zn2SnO4，所述TZO靶材使用wt.％50:50±2的ZnO、SnO2固相烧结粉末制备。通过热喷涂方法对TZO靶材进行制备，提高制备效率，并且减少制备成本，并且解决金属靶材在使用过程中的诸多限制，如通氧量的控制，膜层氧含量的控制，及溅射速率低等，及烧结的TZO靶材密度低，陶瓷化程度很低，无法达到使用要求。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112159963 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011015252.3 (22)申请日 2020.09.24 (71)申请人 福建瓦能科技有限公司

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