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闪存器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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闪存器件的制备方法.pdf

    本发明提供了一种闪存器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅材料层、栅极间绝缘材料层及控制栅材料层；刻蚀所述控制栅材料层，以形成控制栅；进行ISSG工艺，以在所述控制栅的侧壁形成间隔氧化层；依次刻蚀所述栅极间绝缘材料层及所述浮栅材料层，形成栅极间绝缘层和浮栅。本发明提供的闪存器件的制备方法在控制栅制备过程中增加了ISSG工艺，使所述控制栅的边角更圆滑，从而抑制所述闪存器件中控制栅的电场局部增强效应，同时局部增大了所述控制栅侧壁与字线之间的氧化层的厚度，进一步提高控制栅与字线之间的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164655 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011052474.2 (22)申请日 2020.09.29 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司

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