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一种全碳结构的光调制太赫兹吸收器件的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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一种全碳结构的光调制太赫兹吸收器件的制备方法.pdf

    本发明公开了一种全碳结构的光调制太赫兹吸收器件的制备方法，此方法利用简单的化学组装与还原、分子晶体辅助转移得到独立支撑石墨烯纳米材料，通过烧结温度和时间调控，得到了缺陷可控的石墨烯薄膜结构。此薄膜具有良好的太赫兹透过性或者屏蔽性。将此不同结构的薄膜聚酰亚胺层层组装形成夹心结构，置于太赫兹光下，随着表面滴加分子浓度的增加，太赫兹透射光谱峰位会随之变化，因此可以制备成太赫兹分子检测器件，用于检测分子残留；同时双层石墨烯纳米膜层皆可以进行光学调控，可用来检测光学强度的变化。此外，利用两种刻蚀方法相结合

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112162339 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202011023869.X (22)申请日 2020.09.25 (71)申请人 杭州高烯科技有限公司

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