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半导体装置及电子设备.pdfVIP

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  • 2023-05-23 发布于四川
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半导体装置及电子设备.pdf

    提供一种运算性能高的半导体装置。本发明的一个方式是一种利用跨导线性原理的半导体装置，该半导体装置包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的第一至第十晶体管及第一电容。第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子电连接，第三晶体管的第一端子通过第一电容与第二晶体管的第二端子及第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管的第二端子与第四及第七晶体管的第一端子及第五及第八晶体管的栅极电连接。第七晶体管的栅极与第五及第六晶体管的第一端子电连接，第十晶体管的栅极与第八及第九晶体管的第一端子电连接。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116134442 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202180058948.0 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公

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