MOS结构准静态C-V特性测量.docx

1 / 6 MOS 构造准静态 C－V 特性测量 一．试验目的 MOS 构造低频C-V 特性，是确定二氧化硅层厚度界面态密度参数〔简称准静态 C－V 特性〕 测量是检测MOS 器件制造工艺的重要手段。 把握并了解MOS 构造及C-V 方法测量原理。 学会 X-Y 记录仪的使用方法，并测出高频下的C-V 特性曲线。通过测量MOS 构造低频C-V 特性，确定二氧化硅层厚度界面态。 二 试验原理 式中是金属电极上的电荷面密度,A 是电极面积。GQ 通过对该电容的 式中是金属电极上的电荷面密度,A 是电极面积。GQ 通过对该电容的C-V 特性的测量分析，就可以了解半导体外表的各种状态，如S