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一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备.pdfVIP

一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备.pdf

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    本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决掩膜填充到器件的纳米片或线之间，影响该器件的阈值电压等电学性能的技术问题。该半导体器件的制作方法包括：提供多个半导体结构；每个半导体结构至少包括间隔设置的多个纳米片或线，以及形成在纳米片或线外周的栅介质层；采用多次淀积和去除工艺，在每个半导体结构的栅介质层外周形成相应厚度的偶极子层，以使每个半导体结构具有相应的阈值调控结构，从而获得多个具有不同阈值调控参数的阈值调控结构；其中，多次淀积和去除工艺包括，采用多次淀

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185892 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010943337.1 (22)申请日 2020.09.09 (71)申请人 中国

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