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本公开提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管芯片包括衬底、发光结构和增透层，所述发光结构和所述增透层分别位于所述衬底相对的两面，所述增透层包括多个高折射率层和多个低折射率层，所述多个高折射率层和所述多个低折射率层交替层叠设置在所述衬底上，所述增透层远离所述衬底的表面具有多个凹孔，使得光线也可以从凹孔的孔壁射出，并通过凹孔的孔壁向外反射，凹孔可以使一部分光线更快地射出增透层，减少这部分光线在增透层中的折射和反射次数，从而降低光损耗，进一步提升发光二极管芯片的亮度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115986034 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211741345.3
(22)申请日 2022.12.30
(71)申请人 华灿光电 （浙江
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