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- 2023-05-24 发布于四川
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本发明实施例是有关于一种集成电路及其制造方法。本公开的各种实施例涉及一种集成电路,所述集成电路在第一半导体衬底内包括第一衬底穿孔。所述第一半导体衬底具有分别位于所述第一半导体衬底的相对侧上的前侧表面与背侧表面。所述第一半导体衬底包括第一掺杂沟道区,所述第一掺杂沟道区从所述前侧表面延伸到所述背侧表面。所述第一衬底穿孔至少由所述第一掺杂沟道区界定。第一内连线结构位于所述第一半导体衬底的所述前侧表面上。所述第一内连线结构包括多个第一导电线及多个第一导通孔,且所述多个第一导电线及所述多个第一导通孔界定往
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111092063 A
(43)申请公布日
2020.05.01
(21)申请号 20191
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