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    公开了一种半导体器件。在一些实施例中，半导体器件包括半导体管芯，半导体管芯包括具有源极电极、漏极电极和栅极电极的竖向晶体管器件，半导体管芯具有第一表面和位于第一表面上的金属化结构。金属化结构包括在第一表面上的第一导电层、在第一导电层上的第一绝缘层、在第一绝缘层上的第二导电层、在第二导电层上的第二绝缘层和在第二绝缘层上的第三导电层。第三导电层包括耦合到源极电极的至少一个源极焊盘、耦合到漏极电极的至少一个漏极焊盘以及耦合到栅极电极的至少一个栅极焊盘。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185931 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010630657.1 H01L 23/498 (2006.01) (22)申请日

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