光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法.pdf

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本发明公开了一种光刻掩模板、对准标记及其制备方法以及湿法刻蚀方法，光刻掩模板包括预定对准标记图案的曝光区，位于曝光区内围的至少一个第一遮光区域，位于曝光区的外围的第二遮光区域以及用于连接第一遮光区域和第二遮光区域的至少一个第一遮光连接带区。该光刻掩模板可以在将预定对准标记图案转移到光刻胶层时，使光刻胶层中的独立图形与预定对准标记图案的轮廓外围的光刻胶层连接，避免光刻胶层中的小尺寸独立图形在后续湿法刻蚀工艺中被冲走，从而提高了光刻胶层整体的稳定性，减少了器件因光刻胶层中的独立图形脱落产生的缺陷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112198754 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202010858483.4 (22)申请日 2020.08.24 (71)申请人株洲中车时代半导体有限公司

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