半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器.pdf

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本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器，包括：衬底，衬底的上表面开设有凹槽，衬底的下表面开设有背腔，其中，凹槽与背腔相对设置；介质叠层，位于衬底的上表面和凹槽内，介质叠层的下表面外露于背腔；导电层，位于介质叠层的上表面，导电层上开设有多个开口，开口贯穿导电层；隔离层，位于开口内和导电层的上表面，隔离层在开口所在位置处与介质叠层接触，隔离层上设有多个接触孔，接触孔与开口在半导体结构的厚度方向上错位设置；导电结构，设置在接触孔，并与导电层接触。采用本发明能够在不增加面积的情况下

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115988946 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202310125271.9 (22)申请日 2023.02.06 (71)申请人深圳市汇投智控科