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一种电子元件结构.pdfVIP

一种电子元件结构.pdf

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    本发明提供一种电子元件结构，该电子元件结构至少包括：衬底和位于其上的有源区；位于有源区上的栅极结构；栅极结构自下而上依次由多晶硅层、金属层、第一硬掩膜及第二硬掩膜层叠而成；设于栅极结构侧壁的第一、第二侧墙；第一、第二侧墙的顶部相互错开，且第一侧墙顶部高于第二侧墙顶部；第一侧墙顶部呈尖角状，且第一侧墙顶部高于第一硬掩膜顶部。本发明将电子元件结构的栅极制作成多层的层叠结构，有效缩短了栅极的高度，降低了栅极占用的空间比例，并使得栅极刻蚀工艺容易实现；另一方面将栅极的侧墙由现有工艺的单一型和较薄的结构制

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185958 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 20191

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