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本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸X轴KTP晶体及其生长方法，所述大尺寸X轴KTP晶体采用如下生长方法制得，以X面作为籽晶生长面，将籽晶浸入熔液中下种籽晶并生长，所述籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，且浸入熔液的X面与Z面相交的两条边为倒角边。本发明方法对籽晶形状和浸入熔剂的方向进行了创造性选择，能够提升X轴的生长速度，使获得的KTP晶体具备良好的光学均匀性、大的尺寸和更高的利用率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112195511 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 202011244405.1
(22)申请日 2020.11.10
(71)申请人 山东重山光电材料股份有限公司
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