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公开了用于将气体提供到半导体晶片处理腔室中的喷嘴。所述喷嘴可包含导流板结构,所述导流板结构具有面向喷嘴出口的表面以便在气体进入腔室时使气体重新定向。所述喷嘴还可具有冷却系统以去除通过穿过所述喷嘴的等离子体的流提供到所述导流板结构的热量。所述导流板结构可用于以更均匀地分布方式分布流动穿过其中的所述等离子体,由此保护所述处理腔室内的硬件免受潜在热点影响。这具有使气体在整个所述腔室中更有效地重新定向的进一步效果。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115989337 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202280005389.1 (74)专利代理机构 上海胜康律师事务所 31263
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