掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法.pdf

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本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜(2)包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层(21)及第2层(22)的结构，第1层(21)与透光性基板(1)的表面相接地设置，将第1层(21)及第2层(22)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层(21)及第2层(22)在上述曝光光的波长下

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112189167 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 201980034001.9 (74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

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