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一种集成SBR的SGT MOSFET.pdfVIP

一种集成SBR的SGT MOSFET.pdf

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    本发明公开了一种包含有SGTMOSFET和SBR的集成电路。所述的SGTMOSFET和SBR水平置于单芯片的不同区域，为MOS沟道中的多数载流子创造了一个低电位势垒，以减少开关损耗。仅需一个额外的掩膜版，即可实现栅氧化层比SGTMOSFET更薄的短沟道SBR的集成。此外，在一些优选实施例中，屏蔽栅电极采用MSO结构以进一步降低导通电阻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185957 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010876407.6 H01L 29/861 (2006.01) (22)申请日

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