一种金属氧化物忆阻器的通用紧凑模型的实现方法.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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一种金属氧化物忆阻器的通用紧凑模型的实现方法.pdf

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本发明公开了一种金属氧化物忆阻器的通用紧凑模型的实现方法，包括：基于导电细丝的电阻值和长度，获得电场增益参数；进而获得置位过程中进入顶电极的氧离子浓度，以及复位过程中释放的氧离子的浓度；并对置位和和复位过程中氧空穴的生成和复合之间的竞争过程进行建模，构建忆阻器的通用模型。此通用模型可以解释并复现在金属氧化物忆阻器在复位过程中的多种非常规编写特性。基于此通用模型，提出了通过调节器件制造过程中工艺参数，工作过程中的编写电压和电流参数，调控氧离子进出电极的势垒，从而对单极和双极模式忆阻器、以及渐变和突

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115983178 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202310093459.X (22)申请日 2023.02.02 (71)申请人上海交通大学地址 200240