LDMOS器件的形成方法和LDMOS器件.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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LDMOS器件的形成方法和LDMOS器件.pdf

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本申请公开了一种LDMOS器件的形成方法和LDMOS器件，该方法包括：提供一衬底，衬底中形成有环绕的STI结构，环绕的STI结构内为有源区，有源区上形成有栅氧，栅氧上形成有栅极，有源区内形成有阱掺杂区和漂移区，阱掺杂区中形成有源极和沟道引出极，漂移区中形成有漏极；在衬底、栅极和栅氧的表面形成张应力的硬掩模层；在张应力的硬掩模层的表面形成层间介质层；在层间介质层和张应力的硬掩模层中形成第一金属连线、第二金属连线和第三金属连线，第一金属连线的底端与源极和沟道引出极连接，第二金属连线的底端和栅极连接，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112185817 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011038210.1 (22)申请日 2020.09.28 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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