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2023-05-24 发布于四川
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发光二极管外延片及其制备方法.pdf

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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层均掺杂有n型杂质，用于提供用于复合的电子。电子在第一石墨烯层与第二石墨烯层中也具有较高的迁移速率。电子的迁移速率得到增加，进入有源层的电子的速率增加，因此可以将n型层中的n型杂质的浓度减小至6E17～5E18/cm‑3。电子迁移速率加快，弥补第一GaN层、第二GaN层及第三GaN层中因n型杂质的减少而带来的电子总量的减少，不会影响发光二极管的发光效率。而n型杂质的减少会使得第一GaN层、

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112186083 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202011040882.6 (22)申请日 2020.09.28 (71)申请人华灿光电（苏州）有限公司

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