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存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法.pdfVIP

存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法.pdf

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    本公开提供了一种存储装置、凹陷沟道阵列晶体管及其制备方法，属于存储技术领域。该凹陷沟道阵列晶体管的制备方法包括：形成依次层叠的基底、第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层；在第一半导体层中注入第一离子；在第二半导体层中注入与第一离子类型相同的第二离子，且注入剂量大于第二离子；形成开口于第三半导体层且延伸至第一半导体层的凹槽通道；通过凹槽通道的底部注入与第一离子类型相反的第三离子；第一离子的注入剂量与第二离子的差值，小于第三离子的注入剂量；形成栅极绝缘层和栅极；在第三半导体层中注入与第二离子类型

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112186035 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 20191

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