闪存器件的形成方法.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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闪存器件的形成方法.pdf

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本发明提供一种闪存器件的形成方法，通过在浮栅层以及浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有开口，所述开口暴露出部分所述浅沟槽隔离结构和部分所述掩膜层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浅沟槽隔离结构，以形成凹槽，所述凹槽的底壁低于所述有源区的表面；形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述凹槽的侧壁。所述侧墙层能够增加浮栅层与有源区之间的隔离效果，以减少漏电，并可以增大闪存器件的开启电流，以及减小闪存器件的关闭电流。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112201660 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202011272719.2 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司