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本发明提供蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法由在载置于支承台的基片的周围具有环状部件的等离子体处理装置实施，该蚀刻方法中，上述环状部件包括第1环状部件和比上述第1环状部件靠外侧配置的第2环状部件，上述第1环状部件的至少一部分配置在上述基片的外周部的下表面与上述支承台的上表面之间的空间，上述蚀刻方法包括：根据上述第2环状部件的消耗量，利用上述第1环状部件调整上述空间的介电常数的工序；和蚀刻上述基片的工序。本发明能够改善基片的外周部的蚀刻特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185789 A
(43)申请公布日
2021.01.05
(21)申请号 20201
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