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2023-05-24 发布于四川
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半导体晶体管器件及其制造方法.pdf

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本发明涉及一种半导体晶体管器件（1），具有：源极区（2）；本体区（3），其包括竖直沟道区（3.1）；漏极区（4）；栅极区（6），其侧向位于沟道区（3.1）的旁边；通过掺杂形成的本体接触区（7）；扩散阻挡层（20.1）；以及由导电材料形成的导电区（8），其中本体接触区（7）电接触本体区（3），扩散阻挡层（20.1）布置在其之间，并且其中本体接触区（7）的掺杂与本体区（3）的掺杂相比具有相同的导电类型但是具有更高的浓度，并且其中导电区（8）具有接触区（8.1），其形成与本体接触区（7）的电接触，导电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112186039 A (43)申请公布日 2021.01.05 (21)申请号 202010630300.3 (22)申请日 2020.07.03 (30)优先权数据

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