在NAND闪速存储器设备中的非破坏性模式高速缓存编程.pdfVIP

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2023-05-24 发布于四川
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在NAND闪速存储器设备中的非破坏性模式高速缓存编程.pdf

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本文提供在三级单元(TLC)模式下对NAND闪速存储器的高速缓存编程的方法。该方法包括：当对第一组逻辑状态进行编程和验证时，从多个页面缓冲器中的第一数据锁存器集合中丢弃第一编程数据的下页面。页面缓冲器包括被配置为分别存储编程数据的下页面、中间页面和上页面的第一数据锁存器集合、第二数据锁存器集合和第三数据锁存器集合。该方法还包括：将第二编程数据的下页面上传到高速缓存锁存器集合；在丢弃第一编程数据的中间页面之后，将第二编程数据的下页面从高速缓存锁存器集合传送给第二数据锁存器集合；以及将第二编程数据的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112204536 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202080002291.1 G11C 16/34 (2006.01) (22)申请日 2