利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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利用了碳氧间双键的抗蚀剂下层膜形成用组合物.pdf

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提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑CO

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112236720 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 201980034895.1 (74)专利代理机构北京市中咨律师事务所

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