碳纳米管场发射体及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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碳纳米管场发射体及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：在温度1400℃‑1800℃压力40Mpa‑60Mpa的条件下处理碳纳米管膜形成第一碳纳米管结构体；高温热处理所述第一碳纳米管结构体使所述第一碳纳米管结构体石墨化形成第二碳纳米管结构体；焊接至少两个电极片将至少一第二碳纳米管结构体的一端固定在相邻的两个电极片之间形成场发射预备体，该场发射预备体具有一发射端；粘结处理所述场发射预备体的发射端，形成碳纳米管场发射体。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242281 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20191