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2023-05-25 发布于四川
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存储器的制造方法.pdf

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本发明提供一种存储器的制造方法中，通过在介质层中形成第一连接层和第二连接层，所述第一连接层和所述第二连接层在第一方向上相间隔，所述第一连接层包括多个第一接触结构，所述第二连接层包括多个第二接触结构，所述第一接触结构与所述第二接触结构在第二方向上间隔交替，其中，所述多个第一接触结构分别对准所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第三栅极结构和所述第四栅极结构，所述多个第二接触结构分别对准所述第一字线、所述第二字线和所述源线。如此，可以增加第一接触结构与第二接触结构之间的间距，避免第一接触结构与第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242398 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202011264156.2 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司