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描述蚀刻磁性穿隧接面结构的方法。磁性穿隧接面堆叠物沉积于底电极上，其中磁性穿隧接面堆叠物包括至少固定层、在固定层上的阻挡层及在阻挡层上的自由层。顶电极沉积于磁性穿隧接面堆叠物上，硬掩膜沉积于顶电极上，蚀刻顶电极和硬掩膜。之后，蚀刻未被硬掩膜覆盖的磁性穿隧接面堆叠物，此蚀刻停止于固定层上或固定层中。之后，封装层沉积于部分蚀刻的磁性穿隧接面堆叠物上方，且蚀刻封装层的水平表面，以在磁性穿隧接面堆叠物的侧壁上保留自对准硬掩膜。最后，蚀刻未被硬掩膜和自对准硬掩膜覆盖的磁性穿隧接面堆叠物，以完成磁性穿隧接面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110867512 A
(43)申请公布日
2020.03.06
(21)申请号 20191
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