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提供了三维(3D)存储器件和用于形成3D存储器件的方法。在一个示例中，3D存储器件包括衬底和在衬底上包括交错的导电层和电介质层的存储堆叠层。存储堆叠层包括核心结构和阶梯结构。阶梯结构在存储堆叠层的一侧上。3D存储器件还包括垂直地延伸穿过阶梯结构的虚设沟道结构。虚设沟道结构包括沿虚设沟道结构的垂直侧的多个区段。多个区段分别与阶梯结构中的交错的导电层通过界面接合。多个区段中的至少一个包括在多个区段中的至少一个与对应的导电层之间的界面处的非平坦表面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112236862 A
(43)申请公布日 2021.01.15
(21)申请号 202080002257.4 H01L 27/11582 (2017.01)
(22)申请日
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