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本发明提供一种磁存储器测试方法及系统。所述方法包括：将待测结构的温度控制在一测试温度，所述待测结构包括多个串联的相同结构的MTJ；测量所述待测结构的全部MTJ初始化为第一状态后在第一起始时间点的第一电阻值和经过第一时间间隔之后的第二电阻值，并测量所述待测结构的全部MTJ初始化为第二状态后在第二起始时间点的第三电阻值和经过第二时间间隔之后的第四电阻值；根据第一电阻值、第二电阻值、第三电阻值和第四电阻值，计算得到所述待测结构在所述测试温度下的第一翻转概率和第二翻转概率并进一步计算出所述待测结构在所述
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112712846 A
(43)申请公布日
2021.04.27
(21)申请号 20191
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